Модуль DDR3 4GB 1600 MHz MICRON (CT51264BD160B)

Память DDR3 4GB 1600 MHz MICRON (CT51264BD160B) поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.

Данные модули памяти DDR3 созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.